- ▶0805i, 10uF, 25V, X6S (CL21X106KAYQNWE)
摘要
从DDR5开始，Memory Module 内置有自体 VR，System内连接到 DIMM Socket的 Power Line变为 12V。因此 12V用 25V MLCC成为 Server、Network 装备 Memory Line的新需求。三星电机支持可靠性高的 CL21X106KAYQNWE (0805i，10uF，25V，X6S) MLCC。
DDR5，比DDR4 快两倍多的高速存储器
PC、Server用 DDR5 Memory正式上市，2014年 DDR4 上市后，时隔七年即将迎来时代的转换。对于System 设计者来说，最重要的部分是为提升电力效率，将存储器电压从 1.2V（DDR4）降低到1.1V（DDR5）。过去 Memory用电压转换器位于 System 内部（Server、Network等），而今电压降至 1.1V，就須要将 Noise带来的电压变化影响降至最低。因此，为了将电压转换器最大程度安置于最接近 Memory Die的位置，减少 Line path，从 DDR5开始， Memory Module内置了自体电压转换器。
System（Motherboard）内需应对12V Power line
过去的 Memory用电压转换器位于 System（Motherboard）内部，将PSU中出现的 12V转换为 1.2V后，传送至 DIMM Socket，但从DDR5开始，12V Power将直接连接至 DIMM Socket。之后内置于 Memory Module的电压转换器将从 12V转换为 1.1V，供于DRAM Die。随着System中 Memory用电压转换器的消失，System 的设计将更为简洁，但缺点就是 Memory Module将新采用 PMIC、Power Inductor，MLCC数量增加等零件数量将会增加。对于Server、Network 等System设计者来说，连接至DIMM Socket的Power Line电压提高至 12V，需要新的 25V MLCC来应对，这些产品要最大程度靠近 DIMM Socket，因此小型产品更有利。
Memory Module 发热问题
MLCC 选定中增加了一个需要考虑的因數，那就是温度。过去 System中 Memory Module所 处的区域被归为温度不高的 Cool Zone，但从DDR5开始，随着Memory Module内部添加了PMIC，因为PMIC带来的发热影响从而改为 Heat Zone。另外，随着DIMM 个数不断增加，集成度提高，温度不断上升。
因此，需要105℃的 X6S MLCC的支持。
三星电机 0805i，10uF，25V，X6S Solution (CL21X106KAYQNWE)
结果， System中连接至DIMM Socket的Power line变为 12V，DDR5 Module中内置 PMIC，温度上升，需要具有高温特性的 MLCC。三星电机实现0805i，10uF，25V，X6S (CL21X106KAYQNWE)量产，支持比过去产品更高的可靠性。Datasheet可在三星电机官网下载，可通过Digi-Key、Mouser Electronics等购买样品。
三星电机 0805i，22uF，25V，X5R Solution (CL21A226MAYNNWE)
智能仓储机器人等需要大功率的地方，采用了串联4节12V电池的48V电源供電系统，Network设备也在使用 48V电源系统，在这些应用里均可使用三星电机的高可靠性MLCC。
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